English 
PCM1610 Монокристаллический кремниевый датчик перепада давления
Особенность
■ Импортированная сверхвысокостабильная, высокоточная микросхема дифференциального давления
■ Высокая точность и отличная стабильность
■ Погрешность статического давления в пределах 0,1% FS / 10MPa
■ Запатентованная конструкция мембраны с двойной защитой от перегрузки
■ Односторонний предел перегрузки до 40 МПа
■ Высокоточный сенсор температуры внутри
■ Интеллектуальная температурная компенсация
■ Положительное и отрицательное давление полностью симметричны, внутри нет уплотнительного кольца
■ Вся сварная интегрированная конструкция
Применение
■ Мобильный мониторинг танков
■ Изготовление тепловых счетчиков
Параметры продукта
Электрические характеристики | |
Диапазон давления | 0～2kPa…3MPa |
Питание & выход | 4～20mA, 4～20mA+RS485-MODBUS（10～28VDC） |
Рабочая температура | -35℃-75℃ |
Температура хранения | -40℃～125℃ |
Компенсация темп. | -20～70℃ |
Температурный коэффициент | 1.5%（-20～80℃） |
Перегрузка | 16MPa |
Максимальное статическое давление | 40MPa |
Механическая вибрация | 20g(20～5000Hz) |
Ударопрочность | 100g（11ms） |
Точность | 0.25%FS |
Сопротивление изоляции | 100MΩ/250VDC(200MΩ/250VDC) |
Время отклика | ≤1ms（up to 90%FS） |
Long term stability | ±0.1%FS/year |
Класс защиты | IP65 |
Материал | Нержавеющая сталь |
Совместимость с измеряемой средой | Различные материалы, совместимые с нержавеющей сталью 304 |
Преимущество компании
Массовое производство
нас есть один производственный центр в Нанкине и один производственный центр в Аньшане ,итог 20 000 установок и 170 единиц производственного оборудования. Основная годовая мощность датчиков составляет около 2 000 000 штук.
Импортные оборудования
Мы импортировали на нашу производственную линию 20 комплектов контроллера давления и 150 шт испытательных печей.
Управление информатизацией
Информационные системы управления
Комплексные тестирования
У нас есть собственная лаборатория и испытательное оборудование, такое как удар молнии, помпаж, статическое электричество, вибрация, испытание на удар при высокой и низкой температуре и обнаружение утечки в гелиевом масс-спектре.
