ООО «WTsensor»

Производитель сенсоры

Вы здесь: WT ГЛАВНАЯ > Продукция > Датчик давления

  • PCM302(WTE02 )Датчик давления
  • PCM302(WTE02 )Датчик давления
  • PCM302(WTE02 )Датчик давления
  • PCM302(WTE02 )Датчик давления
  • PCM302(WTE02 )Датчик давления

PCM302(WTE02 )Датчик давления

Кремниевый пьезорезистивный  чип  

MEMS технология                 

EXIA IIC T6


Параметры продукта

Диапазон давления

Диапазон давления

100kPa, 250kPa,   400kPa, 600kPa,   1MPa, 1.6MPa, 2.5MPa, 4MPa, 6MPa, 10MPa, 16MPa, 25MPa, 40MPa, 60MPa,100MPa (бар и   psi единицы возможно)

Виды давления

Абсолютное | Избыточное| Мановакуумметрическое

Перегрузка

200%F.S.(25MPa) |150%F.S(≥25MPa)

Выходной сигнал

Выход

4   to 20mA

Характеристики

Точность,в том числе линейность, гистерезис, повторяемость

±0.5%F.S.   (Typical)

Напряжение питания

24VDC

Диапазон термокомпенсации

-10-70(статарный)/-20-85(доступный)

Диапазон температуры рабочих сред

-20-125

Диапазон температуры хранения

-40-125

Коэффициент «нуля»

±1.5%F.S.(   -10-70)

Коэффициент «диапазона»

±1.5%F.S.(   -10-70)

Штуцер для подключения давления

Смотрите на следующую   страницу ”Способ заказа”

Степень защиты корпуса

IP65

Материал корпуса

Нержавеющая сталь 304 (SS316 материал мембраны)

 

Долговременная стабильность

≤0.2%F.S./year

Искробезопасное исполнение

EXIA   II CT6


Преимущество компании

Массовое производство

нас есть один производственный центр в Нанкине и один производственный центр в Аньшане ,итог 20 000 установок и 170 единиц производственного оборудования. Основная годовая мощность датчиков составляет около 2 000 000 штук.

Импортные оборудования

Мы импортировали на нашу производственную линию 20 комплектов контроллера давления и 150 шт испытательных печей.

Управление информатизацией

Информационные системы управления

Комплексные тестирования

У нас есть собственная лаборатория и испытательное оборудование, такое как удар молнии, помпаж, статическое электричество, вибрация, испытание на удар при высокой и низкой температуре и обнаружение утечки в гелиевом масс-спектре.